台积电拟进军先进内存芯片制造，应英伟达要求布局3D DRAM
台积电拟进军先进内存芯片制造，应英伟达要求布局3D DRAM
2026-11-06 22:14
ChainThink 消息，据 The Information 报道，两名知情人士表示，台积电正考虑进军先进内存芯片制造领域，并已开始制定生产 3D DRAM 的计划���以响应英伟达的��求。
3D DRAM 通过垂直堆叠内存单元提升容量，不同于将内存单元置于单层的传统 DRAM。目前，三星电子、SK 海力士和美光科技主导内存芯片制造，并均在开发 3D DRAM 技术。
AI 硬件需求推动内存芯片供应紧张、价格上涨，英伟达和苹果等芯片设计公司正寻求更多供应来源。苹果今年早些时候曾因内存成本上升而提高设备售价。
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